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MOSFETs HXY HIPD220N06L3G
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HIPD220N06L3G
点击复制 - 商品编号： G50855772
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道MOSFET具备50A的最大漏极电流(ID)和60V的漏源极断态电压(VDSS)，其导通电阻(RDS(on))仅为15毫欧，同时支持最高20V的栅源极电压(VGS)。这些特点使其非常适合应用于需要处理大电流和高效率转换的场合，例如电源适配器、电池管理系统及各种电子设备中的开关电源设计。其卓越的性能有助于减少能耗，提高系统整体的可靠性和稳定性。
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HIPD220N06L3G 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HIPD220N06L3G 价格参考￥ 。 HXY HIPD220N06L3G 封装/规格： TO252-2L, 这款N沟道MOSFET具备50A的最大漏极电流(ID)和60V的漏源极断态电压(VDSS)，其导通电阻(RDS(on))仅为15毫欧，同时支持最高20V的栅源极电压(VGS)。这些特点使其非常适合应用于需要处理大电流和高效率转换的场合，例如电源适配器、电池管理系统及各种电子设备中的开关电源设计。其卓越的性能有助于减少能耗，提高系统整体的可靠性和稳定性。。你可以下载 HIPD220N06L3G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HIPD220N06L3G
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