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MOSFETs HXY HCSD18534Q5A
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HCSD18534Q5A
点击复制 - 商品编号： G50855758
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 本产品为N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效电源管理系统及负载开关电路。其漏源电压（VDSS）为60V，连续漏极电流（ID）可达65A，导通电阻（RDON）低至8mΩ，支持高效率功率传输并降低发热。栅极驱动电压（VGS）为20V，具备良好的开关特性与稳定性。器件适用于消费类电子、通信设备及便携式产品的电源转换、电机控制和电池管理等应用场景。
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HCSD18534Q5A 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HCSD18534Q5A 价格参考￥ 。 HXY HCSD18534Q5A 封装/规格： DFN-8(6x5), 本产品为N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效电源管理系统及负载开关电路。其漏源电压（VDSS）为60V，连续漏极电流（ID）可达65A，导通电阻（RDON）低至8mΩ，支持高效率功率传输并降低发热。栅极驱动电压（VGS）为20V，具备良好的开关特性与稳定性。器件适用于消费类电子、通信设备及便携式产品的电源转换、电机控制和电池管理等应用场景。。你可以下载 HCSD18534Q5A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HCSD18534Q5A
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