HSTL90N10F7 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSTL90N10F7 价格参考¥ 。 HXY HSTL90N10F7 封装/规格: DFN-8(6x5), 这款N沟道MOSFET拥有75A的连续漏极电流(ID)处理能力,适用于高电流需求的应用场景。其最大漏源电压(VDSS)为100V,表明它可以在较高电压下稳定工作。导通电阻(RDSON)低至7.3毫欧,有助于在大电流通过时保持较低的功耗。栅源电压(VGS)的最大值为20V,确保了在多种控制信号下均能正常开启或关闭。适用于高性能电源转换器、电机驱动以及其他需要高效能量传输的电子设备中。。你可以下载 HSTL90N10F7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版: HSTL90N10F7