• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSISH101DNT1GE3
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• 商品编号： G50855751
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• 封装规格： DFN8L_3X3MM
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• 商品描述： 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有70A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），适用于多种中高功率电源管理场景。导通电阻低至6.5mΩ（RDON），有助于减少导通损耗，提升整体能效。支持最高20V的栅源电压（VGS），确保器件在复杂环境下稳定工作。该MOSFET适用于电源转换器、电池保护电路、负载开关以及各类高效节能的电子系统，提供高性能的功率控制能力。 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有70A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），适用于多种中高功率电源管理场景。导通电阻低至6.5mΩ（RDON），有助于减少导通损耗，提升整体能效。支持最高20V的栅源电压（VGS），确保器件在复杂环境下稳定工作。该MOSFET适用于电源转换器、电池保护电路、负载开关以及各类高效节能的电子系统，提供高性能的功率控制能力。