• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSiSH101DN
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• 商品编号： G50855746
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• 封装规格： DFN8L_3X3MM
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• 商品描述： 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率电源管理系统。导通电阻低至6.5mΩ（RDON），可有效降低导通损耗，提高系统效率。栅源电压（VGS）最大支持20V，确保稳定控制性能。该器件广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理及各类高效能电子设备中，提供可靠且高效的功率控制解决方案。 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率电源管理系统。导通电阻低至6.5mΩ（RDON），可有效降低导通损耗，提高系统效率。栅源电压（VGS）最大支持20V，确保稳定控制性能。该器件广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理及各类高效能电子设备中，提供可靠且高效的功率控制解决方案。