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MOSFETs HXY HCSD19531Q5A
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HCSD19531Q5A
点击复制 - 商品编号： G50855744
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有出色的电气特性，适用于多种电子电路设计。其最大漏极电流ID为75A，能够处理较大功率负载；耐压VDSS达到100V，确保了在较高电压环境下的稳定工作；导通电阻RDON仅为7.3毫欧姆，有效降低了功耗并提高了效率；栅源电压VGS支持高达20V，提供了灵活的驱动电压范围。凭借这些优异参数，该MOSFET非常适合于需要高性能开关或放大功能的应用场景中使用。
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HCSD19531Q5A 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HCSD19531Q5A 价格参考￥ 。 HXY HCSD19531Q5A 封装/规格： DFN-8(6x5), 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有出色的电气特性，适用于多种电子电路设计。其最大漏极电流ID为75A，能够处理较大功率负载；耐压VDSS达到100V，确保了在较高电压环境下的稳定工作；导通电阻RDON仅为7.3毫欧姆，有效降低了功耗并提高了效率；栅源电压VGS支持高达20V，提供了灵活的驱动电压范围。凭借这些优异参数，该MOSFET非常适合于需要高性能开关或放大功能的应用场景中使用。。你可以下载 HCSD19531Q5A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HCSD19531Q5A
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