• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HFDN86501LZ
  点击复制
• 商品编号： G50855742
  点击复制
• 封装规格： SOT-23
  点击复制
• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有3A的连续排水电流（ID），以及60V的最大断态电压（VDSS），适用于多种电子设备中作为高效能开关或放大器。其导通电阻（RDSON）为72毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下可确保低损耗特性。该MOSFET适合用于个人电子产品、家用电器等领域的电源管理与信号处理环节。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有3A的连续排水电流（ID），以及60V的最大断态电压（VDSS），适用于多种电子设备中作为高效能开关或放大器。其导通电阻（RDSON）为72毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下可确保低损耗特性。该MOSFET适合用于个人电子产品、家用电器等领域的电源管理与信号处理环节。