• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSI2367DST1GE3
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• 商品编号： G50855739
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• 封装规格： SOT-23
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• 商品描述： 这款P沟道MOSFET具有3A的连续漏极电流（ID/A），可在高达20V的漏源电压（VDSS/V）环境下可靠操作。其导通电阻（RDSON/mR）为60毫欧姆，在12V的栅源电压（VGS/V）条件下展现出良好的导电性能。适用于多种低功率需求的场合，例如消费电子产品的负载开关或电池供电设备中的电源路径管理，其低功耗特性有助于延长设备的运行时间。此元件的小型化和高效性使其成为设计精密电子装置时的重要组件。 这款P沟道MOSFET具有3A的连续漏极电流（ID/A），可在高达20V的漏源电压（VDSS/V）环境下可靠操作。其导通电阻（RDSON/mR）为60毫欧姆，在12V的栅源电压（VGS/V）条件下展现出良好的导电性能。适用于多种低功率需求的场合，例如消费电子产品的负载开关或电池供电设备中的电源路径管理，其低功耗特性有助于延长设备的运行时间。此元件的小型化和高效性使其成为设计精密电子装置时的重要组件。