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MOSFETs HXY HSI7850DPT1E3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSI7850DPT1E3
点击复制 - 商品编号： G50855698
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备30A的漏极电流能力和60V的漏源击穿电压，适用于需要高效能开关的应用场景。其导通电阻为20mΩ，有助于降低功耗并减少发热。支持高达20V的栅源电压，确保了在不同工作条件下的稳定性和可靠性。该MOSFET非常适合用于要求高效率和紧凑设计的消费电子产品中，如电源管理、照明控制等领域。
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HSI7850DPT1E3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSI7850DPT1E3 价格参考￥ 。 HXY HSI7850DPT1E3 封装/规格： DFN-8(6x5), 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备30A的漏极电流能力和60V的漏源击穿电压，适用于需要高效能开关的应用场景。其导通电阻为20mΩ，有助于降低功耗并减少发热。支持高达20V的栅源电压，确保了在不同工作条件下的稳定性和可靠性。该MOSFET非常适合用于要求高效率和紧凑设计的消费电子产品中，如电源管理、照明控制等领域。。你可以下载 HSI7850DPT1E3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSI7850DPT1E3
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