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MOSFETs HXY HSQD23N0631L
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSQD23N0631L
点击复制 - 商品编号： G50853625
点击复制 - 封装规格： TO-252-2L(TO-252AA)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的连续排水电流（ID），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS），其导通电阻（RDSON）仅为27毫欧，在栅源电压（VGS）为20V的情况下表现出良好的导电性能。该MOSFET适用于需要高效能开关的应用中，如电源管理、便携式设备中的负载开关以及需要快速切换状态的电路设计。其低导通电阻有助于减少功耗，适合追求高效率转换的电子产品。(SQD23N06-31L_T4GE3)
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HSQD23N0631L 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSQD23N0631L 价格参考￥ 。 HXY HSQD23N0631L 封装/规格： TO-252-2L(TO-252AA), 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的连续排水电流（ID），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS），其导通电阻（RDSON）仅为27毫欧，在栅源电压（VGS）为20V的情况下表现出良好的导电性能。该MOSFET适用于需要高效能开关的应用中，如电源管理、便携式设备中的负载开关以及需要快速切换状态的电路设计。其低导通电阻有助于减少功耗，适合追求高效率转换的电子产品。(SQD23N06-31L_T4GE3)。你可以下载 HSQD23N0631L 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSQD23N0631L
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