• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HBSZ0901NSIATMA1
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• 商品编号： G50853624
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• 封装规格： DFN-8(6x5)
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的连续漏极电流（ID/A），适合应用于大电流需求的电路设计中。其耐压值（VDSS/V）为30V，适用于低压大电流场景。导通电阻（RDSON/mR）低至2毫欧，有助于减少电力损耗，提高系统的整体效率。栅源电压（VGS/V）的最大承受范围为20V，确保了驱动兼容性。该MOSFET可以用于高性能的电源开关、逆变器以及需要快速开关特性的电子装置中。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的连续漏极电流（ID/A），适合应用于大电流需求的电路设计中。其耐压值（VDSS/V）为30V，适用于低压大电流场景。导通电阻（RDSON/mR）低至2毫欧，有助于减少电力损耗，提高系统的整体效率。栅源电压（VGS/V）的最大承受范围为20V，确保了驱动兼容性。该MOSFET可以用于高性能的电源开关、逆变器以及需要快速开关特性的电子装置中。