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MOSFETs HXY HCSD17576Q5B
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HCSD17576Q5B
点击复制 - 商品编号： G50853620
点击复制 - 封装规格： DFN-8(6x5)
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备卓越的电气性能，适用于多种电子设计需求。其最大连续漏极电流ID可达150A，支持高功率应用；漏源电压VDSS为30V，适合较低电压环境下的操作；导通电阻仅为2毫欧姆，有效减少能耗并提高系统效率；栅源电压VGS范围至20V，提供广泛的驱动条件选择。该MOSFET以其低内阻和大电流承载能力，在需要高效能开关或线性控制的场合表现出色。
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HCSD17576Q5B 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HCSD17576Q5B 价格参考￥ 。 HXY HCSD17576Q5B 封装/规格： DFN-8(6x5), 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备卓越的电气性能，适用于多种电子设计需求。其最大连续漏极电流ID可达150A，支持高功率应用；漏源电压VDSS为30V，适合较低电压环境下的操作；导通电阻仅为2毫欧姆，有效减少能耗并提高系统效率；栅源电压VGS范围至20V，提供广泛的驱动条件选择。该MOSFET以其低内阻和大电流承载能力，在需要高效能开关或线性控制的场合表现出色。。你可以下载 HCSD17576Q5B 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HCSD17576Q5B
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