• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HBSC066N06NSATMA1
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• 商品编号： G50853617
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• 封装规格： DFN-8(6x5)
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的最大持续电流（ID/A），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS/V）。导通电阻仅为5.3毫欧（RDSON/mΩ），保证了在大电流条件下仍能保持较低的功耗。栅源电压（VGS/V）的绝对值可达±25V，为驱动提供了宽泛的电压范围。该MOSFET适用于需要高效能和高可靠性的工作环境，如电源管理、便携式设备中的开关应用以及电池供电电路等。其性能特点使其成为设计中实现电流控制与转换的理想选择。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的最大持续电流（ID/A），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS/V）。导通电阻仅为5.3毫欧（RDSON/mΩ），保证了在大电流条件下仍能保持较低的功耗。栅源电压（VGS/V）的绝对值可达±25V，为驱动提供了宽泛的电压范围。该MOSFET适用于需要高效能和高可靠性的工作环境，如电源管理、便携式设备中的开关应用以及电池供电电路等。其性能特点使其成为设计中实现电流控制与转换的理想选择。