• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSQD23N0631LT4GE3
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• 商品编号： G50853615
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• 封装规格： TO-252-2L(TO-252AA)
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• 商品描述： 该款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的连续电流承载能力，最大可承受的漏源电压（VDSS）为60V。其导通电阻（RDSON）仅为27毫欧，在同类产品中表现出较低的导通损耗特性，有助于提高电路效率并减少热量产生。工作栅源电压（VGS）的最大值为20V，确保了可靠的开关性能。此MOSFET适用于要求高效能和低热耗的应用环境，如消费电子产品中的电源管理、便携式设备的电池保护以及通用型开关电源设计中。 该款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的连续电流承载能力，最大可承受的漏源电压（VDSS）为60V。其导通电阻（RDSON）仅为27毫欧，在同类产品中表现出较低的导通损耗特性，有助于提高电路效率并减少热量产生。工作栅源电压（VGS）的最大值为20V，确保了可靠的开关性能。此MOSFET适用于要求高效能和低热耗的应用环境，如消费电子产品中的电源管理、便携式设备的电池保护以及通用型开关电源设计中。