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MOSFETs HXY HSI2306BDST1E3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSI2306BDST1E3
点击复制 - 商品编号： G50853611
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 该场效应管（MOSFET）为N沟道类型，具备5.8A的连续漏极电流（ID），可在最高30V（VDSS）的电压下工作。其导通电阻（RDSON）仅为28毫欧，在12V的栅源电压（VGS）驱动下能够有效降低功耗。此MOSFET适用于设计要求高效能与低能耗的应用场合，如便携式设备、消费电子产品中的电源管理及信号开关等。其出色的电气特性使其成为高性能电路设计的理想选择。
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HSI2306BDST1E3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSI2306BDST1E3 价格参考￥ 。 HXY HSI2306BDST1E3 封装/规格： SOT-23, 该场效应管（MOSFET）为N沟道类型，具备5.8A的连续漏极电流（ID），可在最高30V（VDSS）的电压下工作。其导通电阻（RDSON）仅为28毫欧，在12V的栅源电压（VGS）驱动下能够有效降低功耗。此MOSFET适用于设计要求高效能与低能耗的应用场合，如便携式设备、消费电子产品中的电源管理及信号开关等。其出色的电气特性使其成为高性能电路设计的理想选择。。你可以下载 HSI2306BDST1E3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSI2306BDST1E3
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