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MOSFETs HXY HSSM3K335RLF
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSSM3K335RLF
点击复制 - 商品编号： G50853607
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有5.8A的连续电流能力，能够承受最高30V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为28毫欧，在导通状态下可以有效地降低功耗，减少能量损失。栅源电压（VGS）的最大值为12V，适合用于各种需要精确控制电流的场合。该MOSFET适用于消费电子领域，例如在适配器和充电器中的开关应用，或是作为电子设备内部的信号级驱动元件。(SSM3K335R,LF(T)
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HSSM3K335RLF 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSSM3K335RLF 价格参考￥ 。 HXY HSSM3K335RLF 封装/规格： SOT-23, 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有5.8A的连续电流能力，能够承受最高30V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为28毫欧，在导通状态下可以有效地降低功耗，减少能量损失。栅源电压（VGS）的最大值为12V，适合用于各种需要精确控制电流的场合。该MOSFET适用于消费电子领域，例如在适配器和充电器中的开关应用，或是作为电子设备内部的信号级驱动元件。(SSM3K335R,LF(T)。你可以下载 HSSM3K335RLF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSSM3K335RLF
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