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MOSFETs HXY HNTR4003NT1G
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HNTR4003NT1G
点击复制 - 商品编号： G50853601
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备4A的漏极电流(ID)能力，漏源击穿电压(VDSS)为30V，适用于低压操作环境。其导通电阻(RDON)低至29毫欧(mR)，有助于减少能量损耗并提高效率。栅源电压(VGS)额定值为20V，确保了器件在不同工作条件下的稳定性和可靠性。此MOSFET凭借其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于需要高效电源管理和紧凑设计的电子设备中，如便携式设备和消费电子产品，能够有效提升整体性能和能效比。
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HNTR4003NT1G 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HNTR4003NT1G 价格参考￥ 。 HXY HNTR4003NT1G 封装/规格： SOT-23, 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备4A的漏极电流(ID)能力，漏源击穿电压(VDSS)为30V，适用于低压操作环境。其导通电阻(RDON)低至29毫欧(mR)，有助于减少能量损耗并提高效率。栅源电压(VGS)额定值为20V，确保了器件在不同工作条件下的稳定性和可靠性。此MOSFET凭借其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于需要高效电源管理和紧凑设计的电子设备中，如便携式设备和消费电子产品，能够有效提升整体性能和能效比。。你可以下载 HNTR4003NT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HNTR4003NT1G
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