HSi2351DS 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSi2351DS 价格参考¥ 。 HXY HSi2351DS 封装/规格: SOT-23, 该P沟道场效应管(MOSFET)拥有2.3A的持续漏极电流(ID)能力,能够承受最高20V的漏源电压(VDSS),适用于对功率要求适中的应用场景。其导通电阻仅为120mΩ(RDON),有助于减少工作时的热损耗。此MOSFET支持高达12V的栅源电压(VGS),确保了在多种电路设计中灵活可靠的操作性能。它适合用于消费电子设备、家用电器等场合,在这些领域内可作为高效的开关或信号控制元件使用。。你可以下载 HSi2351DS 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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