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MOSFETs HXY H2N7002KU
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： H2N7002KU
点击复制 - 商品编号： G50853340
点击复制 - 封装规格： SOT-323
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有0.1A的漏极电流(ID)处理能力，能够承受高达60V的漏源电压(VDSS)，适用于对电压要求较高但电流较小的应用场景。其导通电阻为1300mΩ(RDON)，虽然相对较高，但对于低功耗设备而言仍可接受。该MOSFET支持20V的栅源电压(VGS)，保证了良好的开关性能与稳定性。它适合用于消费电子产品、家用电器等场合，在这些应用中作为可靠的开关或信号控制元件使用。
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H2N7002KU 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 H2N7002KU 价格参考￥ 。 HXY H2N7002KU 封装/规格： SOT-323, 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有0.1A的漏极电流(ID)处理能力，能够承受高达60V的漏源电压(VDSS)，适用于对电压要求较高但电流较小的应用场景。其导通电阻为1300mΩ(RDON)，虽然相对较高，但对于低功耗设备而言仍可接受。该MOSFET支持20V的栅源电压(VGS)，保证了良好的开关性能与稳定性。它适合用于消费电子产品、家用电器等场合，在这些应用中作为可靠的开关或信号控制元件使用。。你可以下载 H2N7002KU 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： H2N7002KU
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