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MOSFETs HXY HRU1L002SNTL
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HRU1L002SNTL
点击复制 - 商品编号： G50853338
点击复制 - 封装规格： SOT-323
点击复制 - 商品描述： 该N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的最大连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种低压、低功耗电路设计。其导通电阻（RDS(on)）为1300毫欧，在确保高效能的同时降低了发热风险。该器件的栅极阈值电压（VGS(th)）范围为20V，适合用于开关电源、电池管理系统及信号切换等应用中，能够实现快速响应与稳定控制。
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HRU1L002SNTL 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HRU1L002SNTL 价格参考￥ 。 HXY HRU1L002SNTL 封装/规格： SOT-323, 该N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的最大连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种低压、低功耗电路设计。其导通电阻（RDS(on)）为1300毫欧，在确保高效能的同时降低了发热风险。该器件的栅极阈值电压（VGS(th)）范围为20V，适合用于开关电源、电池管理系统及信号切换等应用中，能够实现快速响应与稳定控制。。你可以下载 HRU1L002SNTL 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HRU1L002SNTL
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