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MOSFETs HXY HSI2351DST1GE3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSI2351DST1GE3
点击复制 - 商品编号： G50853333
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 这款P沟道场效应管支持2.3A的连续漏极电流，具备20V的最大漏源电压能力。其导通电阻为120毫欧姆，确保了在工作时具有较低的能量损耗。栅源电压范围达到12V，适合于需要高精度控制的应用场合。由于其优良的电气特性和可靠性，该MOSFET非常适合用于消费电子产品及家用设备中的电源管理电路、负载开关以及其他要求高效能转换和稳定工作的电子设计中。
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HSI2351DST1GE3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSI2351DST1GE3 价格参考￥ 。 HXY HSI2351DST1GE3 封装/规格： SOT-23, 这款P沟道场效应管支持2.3A的连续漏极电流，具备20V的最大漏源电压能力。其导通电阻为120毫欧姆，确保了在工作时具有较低的能量损耗。栅源电压范围达到12V，适合于需要高精度控制的应用场合。由于其优良的电气特性和可靠性，该MOSFET非常适合用于消费电子产品及家用设备中的电源管理电路、负载开关以及其他要求高效能转换和稳定工作的电子设计中。。你可以下载 HSI2351DST1GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSI2351DST1GE3
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