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MOSFETs HXY HPMV280ENEA
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HPMV280ENEA
点击复制 - 商品编号： G50853329
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道MOSFET支持高达3A的连续漏极电流和100V的最大漏源电压，适用于需要较高电压处理能力的应用场景。其导通电阻为210毫欧姆，有助于降低功耗。栅源电压范围达到20V，提供了良好的开关控制性能。该器件非常适合用于消费电子、家用电器等领域中的电源转换、负载开关及放大电路等用途。
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HPMV280ENEA 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HPMV280ENEA 价格参考￥ 。 HXY HPMV280ENEA 封装/规格： SOT-23, 这款N沟道MOSFET支持高达3A的连续漏极电流和100V的最大漏源电压，适用于需要较高电压处理能力的应用场景。其导通电阻为210毫欧姆，有助于降低功耗。栅源电压范围达到20V，提供了良好的开关控制性能。该器件非常适合用于消费电子、家用电器等领域中的电源转换、负载开关及放大电路等用途。。你可以下载 HPMV280ENEA 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HPMV280ENEA
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