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MOSFETs HXY HDMN63D1LT7
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HDMN63D1LT7
点击复制 - 商品编号： G50853325
点击复制 - 封装规格： SOT-523
点击复制 - 商品描述： 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的连续漏极电流（ID），可在最高60V的漏源电压（VDSS）下工作。其导通电阻（RDSON）仅为1.3Ω（1300毫欧），并且能在±20V的范围内承受栅源电压（VGS）。此MOSFET适用于设计要求低功耗及高效率的便携式电子产品中，如在电源管理电路、消费类电子产品的小型开关模式电源以及电池保护电路中作为开关元件使用。
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HDMN63D1LT7 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HDMN63D1LT7 价格参考￥ 。 HXY HDMN63D1LT7 封装/规格： SOT-523, 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的连续漏极电流（ID），可在最高60V的漏源电压（VDSS）下工作。其导通电阻（RDSON）仅为1.3Ω（1300毫欧），并且能在±20V的范围内承受栅源电压（VGS）。此MOSFET适用于设计要求低功耗及高效率的便携式电子产品中，如在电源管理电路、消费类电子产品的小型开关模式电源以及电池保护电路中作为开关元件使用。。你可以下载 HDMN63D1LT7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HDMN63D1LT7
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