• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HDMN62D0UDWQ13
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• 商品编号： G50853320
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• 封装规格： SOT-363
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• 商品描述： 此款N沟道场效应管（MOSFET）的设计参数包括：最大工作电流（ID）为0.1A，漏源极间最大电压（VDSS）为60V，导通状态下的漏源电阻（RDSON）为1300毫欧，以及所需的栅源电压（VGS）为20V。该MOSFET适用于多种电路设计中作为开关或放大元件，特别是在需要精确控制的小电流应用中，例如电池供电的装置或是家用电器内的微控制器接口等。 此款N沟道场效应管（MOSFET）的设计参数包括：最大工作电流（ID）为0.1A，漏源极间最大电压（VDSS）为60V，导通状态下的漏源电阻（RDSON）为1300毫欧，以及所需的栅源电压（VGS）为20V。该MOSFET适用于多种电路设计中作为开关或放大元件，特别是在需要精确控制的小电流应用中，例如电池供电的装置或是家用电器内的微控制器接口等。