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MOSFETs HXY H2N7002LT1G
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： H2N7002LT1G
点击复制 - 商品编号： G50853316
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 该N沟道场效应管具有0.3A的连续漏极电流能力，支持高达60V的漏源电压。其导通电阻为1000毫欧姆，确保了较低的功率损耗和较高的效率。栅源电压范围达到20V，允许在多种电路设计中灵活应用。这款MOSFET适用于需要精确控制和高可靠性的场合，如电源管理、信号处理等领域，能够有效满足对开关速度与能耗比有较高要求的应用场景。
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H2N7002LT1G 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 H2N7002LT1G 价格参考￥ 。 HXY H2N7002LT1G 封装/规格： SOT-23, 该N沟道场效应管具有0.3A的连续漏极电流能力，支持高达60V的漏源电压。其导通电阻为1000毫欧姆，确保了较低的功率损耗和较高的效率。栅源电压范围达到20V，允许在多种电路设计中灵活应用。这款MOSFET适用于需要精确控制和高可靠性的场合，如电源管理、信号处理等领域，能够有效满足对开关速度与能耗比有较高要求的应用场景。。你可以下载 H2N7002LT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： H2N7002LT1G
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