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MOSFETs HXY HPNMT30V6
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HPNMT30V6
点击复制 - 商品编号： G50853311
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其最大漏极电流ID可达5.8A，最大漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为28mΩ，在VGS=12V的工作条件下表现尤为优异。该元件适用于多种电路设计中，如电源管理、信号切换等场合，能够有效提升电路效率与稳定性，同时其紧凑的设计有利于节省空间，便于集成到各种电子设备中。
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HPNMT30V6 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HPNMT30V6 价格参考￥ 。 HXY HPNMT30V6 封装/规格： SOT-23, 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其最大漏极电流ID可达5.8A，最大漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为28mΩ，在VGS=12V的工作条件下表现尤为优异。该元件适用于多种电路设计中，如电源管理、信号切换等场合，能够有效提升电路效率与稳定性，同时其紧凑的设计有利于节省空间，便于集成到各种电子设备中。。你可以下载 HPNMT30V6 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HPNMT30V6
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