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MOSFETs HXY HPPMUT20V3
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HPPMUT20V3
点击复制 - 商品编号： G50853308
点击复制 - 封装规格： SOT323-3
点击复制 - 商品描述： 此款P沟道场效应管（MOSFET）具有1.8A的连续漏极电流（ID）和20V的漏源击穿电压（VDSS），确保了其在各种电路中的稳定性能。该元件的导通电阻（RDON）仅为120mΩ，在8V栅源电压（VGS）下工作时，能够有效减少发热，提高效率。适用于电源管理、信号切换等应用场合，是实现高效能与小体积设计的理想选择。
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HPPMUT20V3 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HPPMUT20V3 价格参考￥ 。 HXY HPPMUT20V3 封装/规格： SOT323-3, 此款P沟道场效应管（MOSFET）具有1.8A的连续漏极电流（ID）和20V的漏源击穿电压（VDSS），确保了其在各种电路中的稳定性能。该元件的导通电阻（RDON）仅为120mΩ，在8V栅源电压（VGS）下工作时，能够有效减少发热，提高效率。适用于电源管理、信号切换等应用场合，是实现高效能与小体积设计的理想选择。。你可以下载 HPPMUT20V3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HPPMUT20V3
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