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MOSFETs HXY HDMG1013T7
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HDMG1013T7
点击复制 - 商品编号： G50853306
点击复制 - 封装规格： SOT-523
点击复制 - 商品描述： 这款P沟道场效应管(MOSFET)拥有0.66A的连续漏极电流(ID)，能够承受高达20V的漏源电压(VDSS)，适用于需要良好开关特性的场景。其导通电阻(RDON)为260毫欧姆，确保了较低的能量损耗与高效能表现。此MOSFET还支持最大12V的栅源电压(VGS)，使得它在各种电子电路中易于驱动和控制。凭借这些特性，该产品非常适合用于要求紧凑设计且对效率有较高要求的应用场合，如消费电子产品内部的电源管理模块等。
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HDMG1013T7 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HDMG1013T7 价格参考￥ 。 HXY HDMG1013T7 封装/规格： SOT-523, 这款P沟道场效应管(MOSFET)拥有0.66A的连续漏极电流(ID)，能够承受高达20V的漏源电压(VDSS)，适用于需要良好开关特性的场景。其导通电阻(RDON)为260毫欧姆，确保了较低的能量损耗与高效能表现。此MOSFET还支持最大12V的栅源电压(VGS)，使得它在各种电子电路中易于驱动和控制。凭借这些特性，该产品非常适合用于要求紧凑设计且对效率有较高要求的应用场合，如消费电子产品内部的电源管理模块等。。你可以下载 HDMG1013T7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HDMG1013T7
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