• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HDMN63D1LW13
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• 商品编号： G50853302
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• 封装规格： SOT-323
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• 商品描述： 这款N沟道MOSFET具有0.1A的连续排水电流（ID），适用于低功率需求的电路设计。其最大漏源电压（VDSS）为60V，能够有效防止过压损坏。导通状态下的电阻（RDSON）为1300毫欧，适合于对功耗要求不高的应用中。栅源电压（VGS）的最大值为20V，使得它能够兼容多种逻辑电平控制信号。该MOSFET特别适用于便携式设备、家用电子装置中的电源管理或信号处理等场景。 这款N沟道MOSFET具有0.1A的连续排水电流（ID），适用于低功率需求的电路设计。其最大漏源电压（VDSS）为60V，能够有效防止过压损坏。导通状态下的电阻（RDSON）为1300毫欧，适合于对功耗要求不高的应用中。栅源电压（VGS）的最大值为20V，使得它能够兼容多种逻辑电平控制信号。该MOSFET特别适用于便携式设备、家用电子装置中的电源管理或信号处理等场景。