• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNP32N055ILE
  点击复制
• 商品编号： G50853299
  点击复制
• 封装规格： TO252-2L
  点击复制
• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的持续漏极电流能力和60V的漏源电压耐受值，适用于需要高效率开关操作的应用场景。其导通电阻仅为22毫欧姆，确保了在工作时维持较低的功耗与温度上升。栅源电压范围为20V，提供了良好的驱动兼容性。凭借这些特性，该MOSFET非常适合于电源管理、信号转换及放大等场合，在保证系统稳定的同时实现高效能表现。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的持续漏极电流能力和60V的漏源电压耐受值，适用于需要高效率开关操作的应用场景。其导通电阻仅为22毫欧姆，确保了在工作时维持较低的功耗与温度上升。栅源电压范围为20V，提供了良好的驱动兼容性。凭借这些特性，该MOSFET非常适合于电源管理、信号转换及放大等场合，在保证系统稳定的同时实现高效能表现。