• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNVTFS5C478NLTAG
  点击复制
• 商品编号： G50853292
  点击复制
• 封装规格： DFN8L_3X3MM
  点击复制
• 商品描述： 本款N沟道场效应管（MOSFET）拥有60安培的最大连续漏极电流（ID）和40伏的最大漏源电压（VDSS），适用于多种高要求的电子应用。它具备6.9毫欧的低导通电阻（RDON），能够在大电流条件下减少能量损失，提高系统效率。支持20伏的栅源电压（VGS），保证了广泛的适用性和灵活性。这款MOSFET是构建高效电源管理系统、实现精准信号调节和优化电路性能的理想选择。 本款N沟道场效应管（MOSFET）拥有60安培的最大连续漏极电流（ID）和40伏的最大漏源电压（VDSS），适用于多种高要求的电子应用。它具备6.9毫欧的低导通电阻（RDON），能够在大电流条件下减少能量损失，提高系统效率。支持20伏的栅源电压（VGS），保证了广泛的适用性和灵活性。这款MOSFET是构建高效电源管理系统、实现精准信号调节和优化电路性能的理想选择。