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MOSFETs HXY HRD3P175SNFRATL
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HRD3P175SNFRATL
点击复制 - 商品编号： G50848961
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管拥有20A的最大漏极电流ID，适用于需要处理较大电流的应用场合。其最大漏源电压VDSS为100V，能够在相对较高的电压环境中稳定工作。80mΩ的低导通电阻RDON有助于减少能量损耗，提高整体效率。同时，20V的栅源电压VGS确保了良好的开关特性。该MOSFET适合用于各类消费电子设备中的电源转换、负载控制等场景，是实现高效能与紧凑设计的理想选择。
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HRD3P175SNFRATL 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HRD3P175SNFRATL 价格参考￥ 。 HXY HRD3P175SNFRATL 封装/规格： TO252-2L, 这款N沟道场效应管拥有20A的最大漏极电流ID，适用于需要处理较大电流的应用场合。其最大漏源电压VDSS为100V，能够在相对较高的电压环境中稳定工作。80mΩ的低导通电阻RDON有助于减少能量损耗，提高整体效率。同时，20V的栅源电压VGS确保了良好的开关特性。该MOSFET适合用于各类消费电子设备中的电源转换、负载控制等场景，是实现高效能与紧凑设计的理想选择。。你可以下载 HRD3P175SNFRATL 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HRD3P175SNFRATL
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