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MOSFETs HXY HSQ2301ES
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSQ2301ES
点击复制 - 商品编号： G50848958
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源击穿电压（VDSS），能够承受最高12V的栅源电压（VGS）。其导通电阻（RDSON）仅为0.12Ω，在2.3A的电流下表现优异。此MOSFET适用于设计要求低损耗、高效率的应用中，如便携式电子产品中的电源管理或消费类设备的信号开关等场合。其特性使其成为对功率密度敏感设计的理想选择。(SQ2301ES-T1_GE3)
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HSQ2301ES 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSQ2301ES 价格参考￥ 。 HXY HSQ2301ES 封装/规格： SOT-23, 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源击穿电压（VDSS），能够承受最高12V的栅源电压（VGS）。其导通电阻（RDSON）仅为0.12Ω，在2.3A的电流下表现优异。此MOSFET适用于设计要求低损耗、高效率的应用中，如便携式电子产品中的电源管理或消费类设备的信号开关等场合。其特性使其成为对功率密度敏感设计的理想选择。(SQ2301ES-T1_GE3)。你可以下载 HSQ2301ES 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSQ2301ES
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