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MOSFETs HXY HPMV30UN2
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HPMV30UN2
点击复制 - 商品编号： G50848957
点击复制 - 封装规格： SOT-23
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有6A的连续排水电流（ID），最大承受漏源电压（VDSS）为20V，导通电阻（RDSON）为22毫欧，并在栅源电压（VGS）为12V时正常工作。该MOSFET适用于需要高效率和快速开关特性的应用，如便携设备的电源管理单元或电子玩具中的信号放大与处理部分，能够在这些应用中实现低功耗及稳定的性能表现。其较低的导通电阻有助于减少能量损失，适合用于对功耗敏感的设计中。(PMV30UN2R)
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HPMV30UN2 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HPMV30UN2 价格参考￥ 。 HXY HPMV30UN2 封装/规格： SOT-23, 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有6A的连续排水电流（ID），最大承受漏源电压（VDSS）为20V，导通电阻（RDSON）为22毫欧，并在栅源电压（VGS）为12V时正常工作。该MOSFET适用于需要高效率和快速开关特性的应用，如便携设备的电源管理单元或电子玩具中的信号放大与处理部分，能够在这些应用中实现低功耗及稳定的性能表现。其较低的导通电阻有助于减少能量损失，适合用于对功耗敏感的设计中。(PMV30UN2R)。你可以下载 HPMV30UN2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HPMV30UN2
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