• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HFDS8958B
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• 商品编号： G50848956
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• 封装规格： SOP-8
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• 商品描述： 该款场效应管（MOSFET）为N+P沟道设计，具备6A的最大导通电流（ID/A），以及30V的最大漏源电压（VDSS/V）。其低至16毫欧姆的导通电阻（RDSON/mΩ），有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。该MOSFET支持±20V的栅源电压（VGS/V），便于实现精确的驱动控制。适用于各类消费电子产品中，如适配器内的开关应用、电池供电设备的电源路径管理以及其他需要高性能、低功耗特性的场合。 该款场效应管（MOSFET）为N+P沟道设计，具备6A的最大导通电流（ID/A），以及30V的最大漏源电压（VDSS/V）。其低至16毫欧姆的导通电阻（RDSON/mΩ），有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。该MOSFET支持±20V的栅源电压（VGS/V），便于实现精确的驱动控制。适用于各类消费电子产品中，如适配器内的开关应用、电池供电设备的电源路径管理以及其他需要高性能、低功耗特性的场合。