• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HDMNH6008SPSQ13
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• 商品编号： G50848953
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• 封装规格： DFN-8(6x5)
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的连续漏极电流（ID）处理能力，能够在最高60V的漏源电压（VDSS）下工作。其导通电阻（RDSON）低至5.3毫欧，确保了高效率的能量转换。该MOSFET支持最大±25V的栅源电压（VGS），适用于大功率应用，例如高性能计算设备中的电源管理系统、可再生能源技术中的逆变器电路以及需要快速切换频率的PWM控制器等场合，提供可靠的电流调节和保护功能。 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的连续漏极电流（ID）处理能力，能够在最高60V的漏源电压（VDSS）下工作。其导通电阻（RDSON）低至5.3毫欧，确保了高效率的能量转换。该MOSFET支持最大±25V的栅源电压（VGS），适用于大功率应用，例如高性能计算设备中的电源管理系统、可再生能源技术中的逆变器电路以及需要快速切换频率的PWM控制器等场合，提供可靠的电流调节和保护功能。