• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HSTB55NF06LT4
  点击复制
• 商品编号： G50848949
  点击复制
• 封装规格： TO-263(D2PAK)
  点击复制
• 商品描述： 这款N沟道MOSFET具备49A的连续排水电流（ID/A），其最大漏源电压（VDSS）为55V，导通电阻（RDSON）低至9毫欧，在高功率密度设计中表现出色。器件支持最大±20V的栅源电压（VGS），确保了良好的控制特性。其优异的电气参数使其成为高性能开关电源、LED照明驱动以及电池供电设备等应用的理想选择，能够在减少能量损耗的同时提供稳定的电流控制。 这款N沟道MOSFET具备49A的连续排水电流（ID/A），其最大漏源电压（VDSS）为55V，导通电阻（RDSON）低至9毫欧，在高功率密度设计中表现出色。器件支持最大±20V的栅源电压（VGS），确保了良好的控制特性。其优异的电气参数使其成为高性能开关电源、LED照明驱动以及电池供电设备等应用的理想选择，能够在减少能量损耗的同时提供稳定的电流控制。