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MOSFETs HXY HFDMC4435BZ
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HFDMC4435BZ
点击复制 - 商品编号： G50848946
点击复制 - 封装规格： DFN8L_3X3MM
点击复制 - 商品描述： 此款P沟道场效应管（MOSFET）具有40安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的最大漏源电压（VDSS），能够承受较高的工作压力。其导通电阻（RDS(on)）为13毫欧，有助于降低在大电流条件下的能量损失，提升整体效率。该器件支持高达25伏特的栅源电压（VGS），增强了其开关性能。适用于各种需要精确电流控制和高效能表现的电路设计，如电源管理、信号处理等领域。
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HFDMC4435BZ 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HFDMC4435BZ 价格参考￥ 。 HXY HFDMC4435BZ 封装/规格： DFN8L_3X3MM, 此款P沟道场效应管（MOSFET）具有40安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的最大漏源电压（VDSS），能够承受较高的工作压力。其导通电阻（RDS(on)）为13毫欧，有助于降低在大电流条件下的能量损失，提升整体效率。该器件支持高达25伏特的栅源电压（VGS），增强了其开关性能。适用于各种需要精确电流控制和高效能表现的电路设计，如电源管理、信号处理等领域。。你可以下载 HFDMC4435BZ 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HFDMC4435BZ
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