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MOSFETs HXY HHUF75329D3S
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HHUF75329D3S
点击复制 - 商品编号： G50848945
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达30A的连续漏极电流（ID/A），并且能够承受60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧（mR），有助于减少功率损耗，提高效率。该MOSFET适用于在最大20V的栅源电压（VGS/V）条件下运行，是设计需要高效能及可靠性的开关电源、LED照明驱动以及消费电子产品的理想选择。
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HHUF75329D3S 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HHUF75329D3S 价格参考￥ 。 HXY HHUF75329D3S 封装/规格： TO252-2L, 这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达30A的连续漏极电流（ID/A），并且能够承受60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧（mR），有助于减少功率损耗，提高效率。该MOSFET适用于在最大20V的栅源电压（VGS/V）条件下运行，是设计需要高效能及可靠性的开关电源、LED照明驱动以及消费电子产品的理想选择。。你可以下载 HHUF75329D3S 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HHUF75329D3S
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