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MOSFETs HXY H2N7002DW7F
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： H2N7002DW7F
点击复制 - 商品编号： G50848941
点击复制 - 封装规格： SOT-363
点击复制 - 商品描述： 这款N+N沟道场效应管(MOSFET)专为精密控制而设计，其最大连续漏极电流ID为0.1A，适合低功耗应用。该器件能够承受高达60V的漏源电压VDSS，并具有1300mΩ的导通电阻RDON，确保了良好的开关性能。支持-20V到+20V的栅源电压VGS范围，使其在需要精细调节电流的场合中表现出色。适用于便携式设备、家用电器及小型电子项目中的电源管理和信号处理等场景。
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H2N7002DW7F 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 H2N7002DW7F 价格参考￥ 。 HXY H2N7002DW7F 封装/规格： SOT-363, 这款N+N沟道场效应管(MOSFET)专为精密控制而设计，其最大连续漏极电流ID为0.1A，适合低功耗应用。该器件能够承受高达60V的漏源电压VDSS，并具有1300mΩ的导通电阻RDON，确保了良好的开关性能。支持-20V到+20V的栅源电压VGS范围，使其在需要精细调节电流的场合中表现出色。适用于便携式设备、家用电器及小型电子项目中的电源管理和信号处理等场景。。你可以下载 H2N7002DW7F 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： H2N7002DW7F
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