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MOSFETs HXY HDMNH6008SPS

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: HDMNH6008SPS
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  • 商品编号: G50848939
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  • 封装规格: DFN-8(6x5)
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  • 商品描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有80A的最大持续电流(ID/A),能够承受最高60V的漏源电压(VDSS/V)。导通电阻仅为5.3毫欧(RDSON/mΩ),可在高功率应用中减少能量损失。此MOSFET的栅源电压(VGS/V)额定值为25V,确保了可靠的开关性能。适用于要求高效能和低功耗的应用场景,如便携式设备电源管理或消费电子产品中的电流控制等。(DMNH6008SPSQ-13)

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型号:HDMNH6008SPS
MOSFETs
MOSFETs HXY HDMNH6008SPS
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HDMNH6008SPSHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HDMNH6008SPS 价格参考¥ 。 HXY HDMNH6008SPS 封装/规格: DFN-8(6x5), 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有80A的最大持续电流(ID/A),能够承受最高60V的漏源电压(VDSS/V)。导通电阻仅为5.3毫欧(RDSON/mΩ),可在高功率应用中减少能量损失。此MOSFET的栅源电压(VGS/V)额定值为25V,确保了可靠的开关性能。适用于要求高效能和低功耗的应用场景,如便携式设备电源管理或消费电子产品中的电流控制等。(DMNH6008SPSQ-13)。你可以下载 HDMNH6008SPS 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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