• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HIPD25N06S4L30ATMA2
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• 商品编号： G50848937
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的电流处理能力（ID），并支持最高60V的漏源电压（VDSS），适用于多种高电流需求的应用场景。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在导通状态下可显著降低功耗，提高系统效率。栅源电压（VGS）最大可达20V，便于实现有效的开关控制。该MOSFET适用于设计要求紧凑且高效的电源转换电路及其他需要快速开关特性的应用中。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的电流处理能力（ID），并支持最高60V的漏源电压（VDSS），适用于多种高电流需求的应用场景。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在导通状态下可显著降低功耗，提高系统效率。栅源电压（VGS）最大可达20V，便于实现有效的开关控制。该MOSFET适用于设计要求紧凑且高效的电源转换电路及其他需要快速开关特性的应用中。