alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs HXY HRE1L002SNTL

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: HRE1L002SNTL
    点击复制
  • 商品编号: G50848935
    点击复制
  • 封装规格: SOT-523
    点击复制
  • 商品描述: 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备0.1A的连续排水电流(ID),可承受高达60V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)为1300mΩ,在20V的栅源电压(VGS)下可以实现良好的导通特性。适用于小电流、高频率的开关应用,如电子玩具、智能家居组件或消费类电子产品中的电源路径控制与信号调节。

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:HRE1L002SNTL
MOSFETs
MOSFETs HXY HRE1L002SNTL
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

HRE1L002SNTLHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HRE1L002SNTL 价格参考¥ 。 HXY HRE1L002SNTL 封装/规格: SOT-523, 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备0.1A的连续排水电流(ID),可承受高达60V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)为1300mΩ,在20V的栅源电压(VGS)下可以实现良好的导通特性。适用于小电流、高频率的开关应用,如电子玩具、智能家居组件或消费类电子产品中的电源路径控制与信号调节。。你可以下载 HRE1L002SNTL 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: HRE1L002SNTL

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照