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MOSFETs HXY HSTD30PF03LT4
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HSTD30PF03LT4
点击复制 - 商品编号： G50848934
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： 该P沟道场效应管（MOSFET）具有40A的持续漏极电流能力，能够承受高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为18mΩ，有助于降低系统功耗。栅源电压范围为20V，确保了良好的开关特性与稳定性。适用于需要高效能、低损耗开关或线性应用的电路设计中，例如消费电子产品中的电源管理模块，以及便携式设备里的电池充电控制等场景。
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HSTD30PF03LT4 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSTD30PF03LT4 价格参考￥ 。 HXY HSTD30PF03LT4 封装/规格： TO252-2L, 该P沟道场效应管（MOSFET）具有40A的持续漏极电流能力，能够承受高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为18mΩ，有助于降低系统功耗。栅源电压范围为20V，确保了良好的开关特性与稳定性。适用于需要高效能、低损耗开关或线性应用的电路设计中，例如消费电子产品中的电源管理模块，以及便携式设备里的电池充电控制等场景。。你可以下载 HSTD30PF03LT4 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HSTD30PF03LT4
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