alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs HXY HDMG3415U7

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: HDMG3415U7
    点击复制
  • 商品编号: G50848932
    点击复制
  • 封装规格: SOT23-3L
    点击复制
  • 商品描述: 这款P沟道场效应管(MOSFET)具有4.1A的连续漏极电流(ID),适用于需要中等电流处理能力的应用。其最大漏源电压(VDSS)为20V,导通电阻仅为34毫欧姆(RDON),保证了较低的功率损耗和高效的电能转换。该MOSFET支持最高10V的栅源电压(VGS),便于与各种控制电路兼容。它非常适合应用于消费电子、家用电器以及便携设备中的电源管理和开关控制功能,以实现紧凑且高效的设计。

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:HDMG3415U7
MOSFETs
MOSFETs HXY HDMG3415U7
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

HDMG3415U7HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HDMG3415U7 价格参考¥ 。 HXY HDMG3415U7 封装/规格: SOT23-3L, 这款P沟道场效应管(MOSFET)具有4.1A的连续漏极电流(ID),适用于需要中等电流处理能力的应用。其最大漏源电压(VDSS)为20V,导通电阻仅为34毫欧姆(RDON),保证了较低的功率损耗和高效的电能转换。该MOSFET支持最高10V的栅源电压(VGS),便于与各种控制电路兼容。它非常适合应用于消费电子、家用电器以及便携设备中的电源管理和开关控制功能,以实现紧凑且高效的设计。。你可以下载 HDMG3415U7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: HDMG3415U7

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照