HSUD20N1066L 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSUD20N1066L 价格参考¥ 。 HXY HSUD20N1066L 封装/规格: TO252-2L, 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有20A的最大工作电流(ID),能够承受高达100V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)为80毫欧,适合在栅源电压(VGS)不超过20V的应用环境中工作。凭借这些特性,此MOSFET适用于多种电子设备中的电源路径控制,如家用电器内部的电源管理系统、电池供电装置的负载开关,以及通信设备中的电压转换电路,能够有效提升系统的整体效率并减少能量损失。(SUD20N10-66L-GE3)。你可以下载 HSUD20N1066L 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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