• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HIPD50N06S4L08ATMA2
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• 商品编号： G50848929
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80安培的最大连续漏极电流和60伏特的漏源击穿电压，适用于需要高电流承载能力和良好耐压性能的电路设计。其导通电阻仅为6毫欧，有效减少了工作时的热量产生，提高了能量转换效率。结合20伏特的栅极阈值电压，确保了优秀的开关特性，适用于高频开关电源、电池管理系统以及各类电子设备中的精密控制。该MOSFET凭借其出色的性能，成为实现高效、紧凑电路设计的理想选择。 此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80安培的最大连续漏极电流和60伏特的漏源击穿电压，适用于需要高电流承载能力和良好耐压性能的电路设计。其导通电阻仅为6毫欧，有效减少了工作时的热量产生，提高了能量转换效率。结合20伏特的栅极阈值电压，确保了优秀的开关特性，适用于高频开关电源、电池管理系统以及各类电子设备中的精密控制。该MOSFET凭借其出色的性能，成为实现高效、紧凑电路设计的理想选择。