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MOSFETs HXY HAM7630N
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： HAM7630N
点击复制 - 商品编号： G50848928
点击复制 - 封装规格： DFN8L_3X3MM
点击复制 - 商品描述： 这款场效应管(MOSFET)为N+N沟道设计，支持最大30安培的漏极电流(ID)与30伏特的漏源电压(VDSS)，适用于高功率需求的应用。其导通电阻仅为10毫欧姆(RDON)，有助于降低功耗并提高系统效率。栅源电压(VGS)为20伏特，确保了良好的驱动性能。该MOSFET适合用于消费电子设备中的高效电源转换、开关控制及各种需要快速响应时间的电路中。
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HAM7630N 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HAM7630N 价格参考￥ 。 HXY HAM7630N 封装/规格： DFN8L_3X3MM, 这款场效应管(MOSFET)为N+N沟道设计，支持最大30安培的漏极电流(ID)与30伏特的漏源电压(VDSS)，适用于高功率需求的应用。其导通电阻仅为10毫欧姆(RDON)，有助于降低功耗并提高系统效率。栅源电压(VGS)为20伏特，确保了良好的驱动性能。该MOSFET适合用于消费电子设备中的高效电源转换、开关控制及各种需要快速响应时间的电路中。。你可以下载 HAM7630N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： HAM7630N
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