• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HMDD1902
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• 商品编号： G50848918
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• 封装规格： TO252-2L
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• 商品描述： 此款50A额定电流的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源极断态电压（VDSS）和18毫欧的导通电阻（RDSON）。其栅源极电压（VGS）可高达20V，确保了卓越的开关性能和低热损耗。该元件适用于多种电子设备中的电源管理和信号处理，如电池充电器、电源适配器以及便携式电子产品中的快速开关和高效转换，确保系统运行的高效性与稳定性。 此款50A额定电流的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源极断态电压（VDSS）和18毫欧的导通电阻（RDSON）。其栅源极电压（VGS）可高达20V，确保了卓越的开关性能和低热损耗。该元件适用于多种电子设备中的电源管理和信号处理，如电池充电器、电源适配器以及便携式电子产品中的快速开关和高效转换，确保系统运行的高效性与稳定性。