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MOSFETs HXY H2SK3018T106
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： H2SK3018T106
点击复制 - 商品编号： G50848917
点击复制 - 封装规格： SOT-323
点击复制 - 商品描述： 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.1A的连续漏极电流（ID），最大漏源电压（VDSS）可达30V，导通电阻（RDS(on)）为1500毫欧，栅源电压（VGS）范围为20V。这些特性使其适用于多种电路设计中，如电源管理、信号切换等应用场景。其低导通电阻有助于减少功耗，提高效率，同时确保了良好的热稳定性。该MOSFET的小信号开关性能优越，能够快速响应，适合于精密控制领域。
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H2SK3018T106 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 H2SK3018T106 价格参考￥ 。 HXY H2SK3018T106 封装/规格： SOT-323, 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.1A的连续漏极电流（ID），最大漏源电压（VDSS）可达30V，导通电阻（RDS(on)）为1500毫欧，栅源电压（VGS）范围为20V。这些特性使其适用于多种电路设计中，如电源管理、信号切换等应用场景。其低导通电阻有助于减少功耗，提高效率，同时确保了良好的热稳定性。该MOSFET的小信号开关性能优越，能够快速响应，适合于精密控制领域。。你可以下载 H2SK3018T106 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： H2SK3018T106
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